MOS管和IGBT管都可以用作开关元件。
它们的形状和特征参数也相似。
那么它们之间有什么区别呢？什么是MOS管？ MOS管是MOSFET管的缩写。
它是一种金属氧化物半导体场效应晶体管。
它可以简单地称为“场效应管”。
MOS管有两种主要类型：结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅型场效应晶体管。
（MOS管）。
由于场效应管的栅极被绝缘层隔离，因此也称为绝缘栅场效应管。
MOSFET可分为四类：N沟道耗尽型和增强型； N型耗尽型和增强型。
P通道耗尽类型和增强类型。
一些MOSFET的内部有一个二极管，它是一个体二极管，一个寄生二极管或一个续流二极管。
寄生二极管的作用有两种解释：1. MOSFET的寄生二极管用于防止VDD过压时MOSFET烧坏。
2.反向连接MOS管的源极和漏极时，请防止MOS管烧毁。
当电路具有反向感应电压时，它还可以提供反向感应电压的路径，以避免MOS管因反向感应电压击穿。
。
MOSFET具有高输入阻抗，快速开关速度，良好的热稳定性，电压控制电流等特性，并且可以在电路中用作放大器，电子开关等。
什么是IGBT管？绝缘栅双极型晶体管IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是由晶体管和MOS管组成的复合半导体器件。
IGBT管具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，电流大的特点。
它已被广泛用于各种电子电路中。
IGBT管内部的体二极管不是寄生的，而是经过专门设置以保护IGBT的脆弱反向耐受电压，也称为FWD（续流二极管）。
IGBT管非常适合诸如交流电动机，变频器，开关电源，照明电路，牵引驱动器和其他领域的应用。
MOS管和IGBT的结构特征IGBT是通过在MOSFET的漏极上添加一层来构造的。
对于具有类似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能比MOSFET的速度慢，因为IGBT具有关断尾部时间。
由于IGBT的关断尾端时间长，死区时间会更长，这会影响开关频率。
如何选择？在电路中，选择MOS管还是IGBT管作为电源开关管是工程师经常遇到的问题。
综合考虑系统电压，电流，开关功率等因素，可以总结出以下几点：总的来说，MOSFET管的优势在于其良好的高频特性，其工作频率可以达到数百kHz和更高的MHz，缺点是在高电压，大电流的情况下导通电阻大，功耗大。
IGBT处于低频大电流状态。
在电源情况下表现出色，具有低导通电阻和高耐压。
MOSFET管用于开关电源，高频感应加热，高频逆变焊机，镇流器，通信电源和其他高频电源领域； IGBT管集中在焊接机，电镀和电解电源，逆变器和变频器中。
，超音频感应加热等领域。
